一种基于溶剂处理制备二硫化钼薄层及其薄膜晶体管的方法

本发明提供了一种基于溶剂处理制备二硫化钼薄层及其薄膜晶体管的方法,采用胶带将MoS-2样品随胶带粘覆到带有异丙醇的Si/SiO-2衬底上,然后在胶带与Si/SiO-2衬底间的空隙处填充溶剂,进行热处理,热剥离得到MoS-2薄层,该工艺的主要特点是所制备的MoS-2薄层面积大、产率高,而且操作过程简单、无需大型制膜设备,工艺涉及的辅料均为实验室常见常用溶剂,无明显毒性。