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科研成果
一价铜卤的配位化合物及其薄膜的制备方法
科研成果
一价铜卤的配位化合物及其薄膜的制备方法
发布日期:2023年10月25日
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本发明属于发光材料技术领域,具体涉及一种一价铜卤的配位化合物及其薄膜的制备方法。其中一价铜卤的配位化合物经过电化学方法合成。将有机配体和卤化盐溶解在溶剂中,配置成电沉积液,采用电化学方法向铜电极施加一个正电压进行沉积,得到一价铜卤的配位化合物。本发明还提供了一种应用所述的器件装置。向处理好的负载铜单质的导电基底施加一个正电压进行沉积,得到负载一价铜卤的配位化合物的导电基底。本发明提供的合成方法简单易行、勿需进一步提纯,符合绿色化学的理念。
专利名称:一价铜卤的配位化合物及其薄膜的制备方法
专利类型:发明专利
专利号:ZL2021108148168
专利申请日期:2021-07-19
联系人:刘老师
联系电话:059122869422
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