一种改善有机薄膜晶体管稳定性的方法

    本发明专利(专利号：ZL.201410011958.0)，公开了一种改善有机薄膜晶体管稳定性的方法，所述的有机薄膜晶体管包括栅电极、源电极、漏电极、有源层和绝缘层，所述的有源层为微量有机小分子掺杂的有机半导体材料。本发明采用简单的微掺杂法，将有机小分子掺杂的有机半导体材料作为有机薄膜晶体管的有源层；有效改善了有机薄膜晶体管的稳定性，提高器件使用寿命；方法简单，成本低，有利于推广应用，具备显著的经济和社会效益。